امکان‌سنجی و بررسی تولید نمونه 3C-SiC به‌عنوان حس‌گر بلوری بیشینه دما

نوع مقاله : مقاله پژوهشی

نویسندگان

پژوهشکده راکتور و ایمنی هسته ای، پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، تهران، ایران

10.22052/rsm.2024.253833.1043

چکیده

یکی از روش­‌هایی که به‌منظور طراحی و بهینه­‌سازی موتورها و توربین­های با بازده بالا در سال­های اخیر بسیار مورد توجه قرار گرفته، استفاده از حس‌گرهای بلوری بیشینه دما است. این حس‌گرها معمولاً در ابعاد بسیار کوچک و از موادی مانند 3C-SiC، الماس، گرافیت و غیره ساخته می­‌شوند و می‌­توانند در محل مورد نظر در داخل توربین یا موتور قرار گیرند و دمای بیشینه ایجاد شده را اندازه‌‎گیری نمایند. با توجه به ابعاد کوچک این حس‌گرها و دقت بسیار بالای اندازه‎‌گیری، می­‌توان توزیع مکانی بسیار دقیقی از دمای ایجاد شده به‌­دست آورد. برای تولید این حس‌گرها جریان بسیار بالای نوترون­‌های سریع مورد نیاز است. در این مقاله، ابتدا قلب فشرده شماره 18 راکتور تحقیقاتی تهران شبیه­‌سازی شد. سپس شار بیشینه نوترون سریع برای نمونه 3C-SiC محاسبه شد. نتایج شبیه­‌سازی نشان می­‌دهد که کانال F4 بیشترین شار نوترون سریع را برای این منظور در اختیار قرار خواهد داد. همچنین محاسبات پرتوزایی با استفاده از کد ORIGEN و نرخ دز از طریق کد 6 MCNP انجام شد. نتایج نشان داد که مقدار پرتوزایی نمونه بعد از 4 ماه حدود 65% کاهش می­‌یابد و در این راستا، مقدار نرخ دز کل نیز به مقدار کمتر از معیار 10 میکروسیورت[1] بر ساعت می­‌رسد. در ادامه، نمونه 3C-SiC در قدرت MW 5 در راکتور تحقیقاتی تهران تابش داده شد. سپس اندازه دانه و مقدار کرنش قبل و بعد از تابش‌­دهی محاسبه شد. در نهایت با توجه به نتایج این مقاله، می‌­توان گفت که نمونه 3C-SiC به‌عنوان یک حس‌گر بلوری بیشینه دما مناسب خواهد بود.
[1] این معیار نرخ دز، بر اساس تعریف آژانس بین المللی اتمی که مقدار 20 میلی سیورت در سال می‌باشد، در نظر گرفته شده است. البته با توجه به مقدار 8 ساعت کاری در روز که معادل 40 ساعت در هفته و به ازای 50 هفته کاری در سال، مقدار 2000 ساعت کاری به‌دست می‌آید. بنابراین تقسیم این دو عدد، مقدار نرخ دز 10 میکرو سیورت بر ساعت به‌دست می‌آید.

کلیدواژه‌ها


عنوان مقاله [English]

Feasibility and investigation of 3C-SiC sample production as a maximum temperature crystal sensor

نویسندگان [English]

  • Mostafa Hassanzadeh
  • Mohammad Amin Amirkhani-Dehkordi
  • Rohllah Adeli
  • Mohammad Reza Kardan
Reactor and Nuclear Safety Research School, Nuclear Science and Technology Research Institute (NSTRI), AEOI, Tehran, Iran
چکیده [English]

In recent years, one of the methods that is considered in designing and optimization of the engines and turbines with high efficiency is maximum temperature crystal sensors (MTCS). These sensors are usually very small in size and made of materials such as 3C-SiC, Diamond, Graphite, etc. They can be placed in the desired location inside the turbine or engine and measure the maximum temperature created. These sensors could be obtained a very accurate spatial distribution of the created temperature due to the small dimensions and the very high accuracy of the measurement. For producing these sensors, a very high fluence of fast neutrons is required. Therefore, the number of the core 18 of the Tehran research reactor (TRR) is simulated and the calculations of the maximum flux of fast neutrons were carried for the 3C-SiC sample. The simulation results show that the channel F4 will provide the highest flux of fast neutrons for this purpose. Also, activity calculations were done using ORIGEN code and dose rate through MCNP6 code. The results show that the amount of activity of the sample has decreased by 65% after 4 months. Therefore, the total dose rate has also reached a value lower than the criteria of 10 µSv/h. Next, the 3C-SiC sample was irradiated at 5 MW power in the TRR, then the crystal size and the amount of strain before and after irradiation were calculated. Finally, according to the results of this article, it can be said that the 3C-SiC sample will be suitable as a MTCS.

کلیدواژه‌ها [English]

  • maximum temperature sensor
  • 3C-SiC
  • MCNP6
  • flux
  • dose rate and activite
  1. A. A. Volinsky, V. Nikolaenko, V. Morozov, V. Timoshenko. Irradiated single crystals for high temperature measurements in space applications. MRS Online Proceedings Library Archive, 851, 2004.
  2. V. K. Rai. Temperature sensors and optical sensors. Appl. Phys. B 88 (2007) 297-303.
  3. V. G. Kuryachiy. Irradiated Single Crystal 3C-SiC as a Maximum Temperature Sensor. University of South Florida, Florida, 2008.
  4. E. Haile, J. Lepkowski. Oscillator Circuits for RTD Temperature Sensors. AN895. Microchip Technology Inc., DS00895, 2004.
  5. A. Volinsky, L. Ginzbursky. Irradiated cubic single crystal SiC as a high temperature sensor. MRS Online Proceedings Library 792 (2003) 51-56.
  6. V. Nikolaenko, V. Karpukhin. Temperature Measurement by Means of Irradiated Materials. USSR: Ehnergoizdat, Moscow, 1986.
  7. D. J. Sprouster, T. Koyanagi, E. Dooryhee, S. Ghose, Y. Katoh, L. E. Ecker. Microstructural evolution of neutron irradiated 3C-SiC. Scripta Materialia 137 (2017) 132-136.
  8. R. Devanathan, W. Weber, F. Gao. Atomic scale simulation of defect production in irradiated 3C-SiC. J. Appl. Phys. 90 (2001) 2303-2309.
  9. D. Pelowitz, T. Goorley, M. James, T. Zukaitis. MCNP6TM User’s Manual. Version 1.0, Los Alamos National Laboratory Report LA-CP-13-00634, 2013.
  10. A. G. Croff. User's manual for the ORIGEN2 computer code, Oak Ridge National Lab.1980.
  11. R. Krishna, J. Wade, A. N. Jones, M. Lasithiotakis, P. M. Mummery, B. J. Marsden. An understanding of lattice strain, defects and disorder in nuclear graphite. Carbon 124 (2017) 314-333.
  12. A. T. Atul Sheth. Uniform Crystal Temperature Sensor (Ucts) Application to Validation, Verification and Technical Comparison Processes, 2015.
  13. G. C. Meijer, G. Wang, F. Fruett. Temperature sensors and voltage references implemented in CMOS technology. IEEE sensors J. 1 (2001) 225-234.
  14. V. D. Mote, Y. Purushotham, B. N. Dole. Williamson-Hall analysis in estimation of lattice strain in nanometer-sized ZnO particles. J. Theor. Appl. Phys. 6 (2012) 6.