انجمن حفاظت در برابر اشعه ایران مجله سنجش و ایمنی پرتو 23225971 14 4 2026 02 20 Estimate of depth profile of elements in CIGS sample using RBS analysis تخمین نمایه عمقی عناصر در نمونه CIGS با آنالیز RBS 205 210 115342 10.22052/rsm.2026.257935.1158 FA وحید جاویدپناه دانشکده فیزیک، دانشگاه کاشان، کاشان، اصفهان، ایران محمد ترکیهای اصفهانی دانشکده فیزیک، دانشگاه کاشان، کاشان، اصفهان، ایران مهرداد مرادی پژوهشکده علوم و فناوری نانو، دانشگاه کاشان، کاشان، اصفهان، ایران Journal Article 2025 11 10 The fabrication of a high-efficiency CIGS thin-film solar cell requires sufficient knowledge of the layer deposition method, thickness, element percentage, and quality of the fabricated samples. In this study, the depth profile of various elements in a laboratory fabricated sample was obtained by non-destructive Rutherford backscattering analysis. For this purpose, a proton beam with an energy of 1350 keV was used. The results of the analysis and simulation of the obtained spectrum measured the order of the layers, the thickness of the layers, and the percentage of elements in each layer with acceptable accuracy. This study emphasizes that the percentage of elements in compounds can be determined at a lower cost than other analyses. Also, due to the depth of proton penetration, this analysis can be easily used to measure elements in multilayer compounds where each layer is composed of different elements. The results obtained showed that thin layers were formed between the main layers of the sample, indicating the diffusion of elements between the layers. Some differences from the stoichiometry considered for the sample were also observed. ساخت یک سلول خورشیدی لایه نازک CIGS با بازدهی بالا مستلزم دانش کافی از نحوه لایه نشانی، ضخامت، درصد عناصر و کیفیت نمونه‎‌های ساخته شده است. در این تحقیق با آنالیز غیرمخرب پس پراکندگی رادرفورد نمایه عمقی عناصر مختلف در یک نمونه ساخته شده آزمایشگاهی به‌دست آمد. برای این منظور از پرتو پروتون با انرژی 1350 keV استفاده شد. نتایج آنالیز و شبیه‎‌سازی طیف به‌دست آمده با دقت قابل قبولی ترتیب لایه‌‎ها، ضخامت لایه‎‌ها و درصد عناصر در هر لایه را اندازه‎‌گیری کرد. این تحقیق تأکید می‎‌کند که می‎‌توان با هزینه کمتری نسبت به سایر آنالیزها درصد عناصر در ترکیبات را تعیین کرد. همچنین به‌خاطر عمق نفوذ پروتون براحتی می‌توان برای اندازه گیری عناصر در ترکیبات چندلایه که هر لایه نیز از عناصر مختلفی تشکیل شده است از این آنالیز استفاده کرد. نتایج به‌دست آمده نشان داد که لایه‎‌های نازکی بین لایه‎‌های اصلی نمونه تشکیل شده که نشان از نفوذ عناصر بین لایه‌‎ها است. مقداری تفاوت از استوکیومتریی در نظر گرفته شده برای نمونه هم مشاهده شده است. https://rsm.kashanu.ac.ir/article_115342_7a725c60e1d6070e4629220983ce7c09.pdf