انجمن حفاظت در برابر اشعه ایران مجله سنجش و ایمنی پرتو 23225971 12 2 2023 08 23 Doppler broadening of positron annihilation on gamma, neutron, and electron-irradiated N- and P-type Silicon wafers پهن شدگی دوپلری گاماهای نابودی پوزیترون در ورقه های سیلیکونی نوع ان و پی تابش دیده توسط گاما، نوترون و الکترون 73 79 113925 10.22052/rsm.2023.252969.1025 FA معصومه اربابی بلوچستان گروه فیزیک، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان، سیستان و بلوچستان، ایران علی اکبر مهمان دوست خواجه داد گروه فیزیک، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان، سیستان و بلوچستان، ایران Journal Article 2023 05 18 In this research, Doppler broadening measurements of positron annihilation have been done on N- and P-type irradiated silicon wafers which have widely used in the electronics industry. The wafers were irradiated by 10-MeV electrons beam (30 kGy), 60Co gamma rays (175 kG) and thermal neutrons (~ 0.038 Gy). The radioactive isotope of 22Na with an activity of about 7µCi, which is enclosed between two thin polymer layers with a thickness of 7µm were used as a positron source. A conventional setup using an HPGe semiconductor detector in coincidence with a NaI(Tl) scintillator detector. The results of this research indicate the presence of visible defects in the electron irradiated samples. پهن­‌شدگی دوپلری گاماهای ناشی از نابودی پوزیترون در ورقه­‌های سیلیکونی نوع ان و پی که استفاده­ی فراوانی در صنعت الکترونیک دارند، اندازه­‌گیری شد. ورقه­‌ها تحت تابش الکترون‌­های 10 مگاالکترون­ولتی (30 کیلوگری)، ‌گاماهای چشمه کبالت 60 (175 کیلوگری) و شار نوترون حرارتی راکتور (038/0 گری) قرار گرفته‌­اند. در این تحقیق از یک سامانه‌­ی متداول همزمانی طیف­­‌سنجی نابودی پوزیترون، شامل یک آشکارساز فوق ­خالص ژرمانیوم، یک آشکارساز سوسوزن و چشمه­‌ی پوزیترون­دهنده سدیم 22، استفاده شده است. فعالیت نمک پرتوزا، 7 میکروکوری است که بین دو لایه­‌ی نازک پلیمری، هر کدام به ضخامت 7 میکرومتر، ساندویج شده است. نتایج این تحقیق حاکی از  ایجاد  نقص قابل  مشاهده  در نمونه‌­های سیلیکونی تابش دیده با الکترون است. https://rsm.kashanu.ac.ir/article_113925_ceaffdb4d448f4dd4913f8af30c20dc3.pdf