هدف از مطالعه حاضر، بررسی اثر نوسانات ولتاژ حاصل از دستگاه های تولید کننده اشعه ایکس بر کیفیت پرتوهای اشعه ایکس می‌باشد. برای رسیدن به این موضوع باید ابندا طیف انرژی حاصل از تیوب های تولید کننده اشعه ایکس در محدوده رادیوگرافی تشخیصی شبیه سازی شده و با نتایج تجربی اندازه گیری شده، صحت سنجی شود. آنالیز آماری انجام گرفته روی نتایج نشان می‌دهد که تفاوت معنی داری بین نتایج شبیه سازی و نتایج تجربی وجود ندارد. سپس تاثیر ریپل ولتاژ روی طیف انرژی شبیه سازی و بررسی شد. برای بررسی اثر نوسانات ولتاژ بر میزان کیفیت پرتو محاسبات لایه نیم جذب (HVL) انجام گرفت. نتایج حاصل از این تحقیق نشان داد که نوسانات ولتاژ می تواند تا حدود 56% مقدار HVL را در ولتاژ kV100 و در حدود 75% در ولتاژ kV80 کاهش دهد.

واژه‌های کلیدی: لایه نیم جذب، شبیه سازی مونت کارلو، GATE، نوسانات ولتاژ، طیف انرژی.

متن کامل [PDF 754 kb]   (71 دریافت)