جلد 8، شماره 4 - ( مجله سنجش و ایمنی پرتو، ویژه نامه یون‌ساز 1399 )                   جلد 8 شماره 4 صفحات 229-236 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Khosravi N, Tajik M, Boghrati B. Monte Carlo Simulation of Radiation effects in protection layers of logical cell of the digital gate in ‎the FPGA for electron and proton rays Using the FLUKA Code. IJRSM. 2020; 8 (4) :229-236
URL: http://rsm.kashanu.ac.ir/article-1-428-fa.html
خسروی نفیسه، تاجیک مجتبی، بقراطی بهزاد. شبیه سازی اثرات تابشهای پروتون و الکترون بروی لایه های محافظ در سلول منطقی دیجیتالی ‌درون تراشه ‌FPGA‌ با استفاده از کد ‌FLUKA. مجله سنجش و ايمني پرتو. 1399; 8 (4) :229-236

URL: http://rsm.kashanu.ac.ir/article-1-428-fa.html


دانشگاه دامغان
چکیده:   (154 مشاهده)
در این مقاله اثرات تابش­های پروتون و الکترون بروی لایه­ های محافظ در سلول منطقی دیجیتالی درون تراشه FPGA  با استفاده از کد  FLUKA شبیه­ سازی شده است.  با استفاده از کد مونت کارلوی، ترابرد الکترونها و پروتونها در یک سلول منطقی مربوط به دروازه ­ی دیجیتالی درون تراشه FPGA مورد بررسی قرار گرفته شده است. در این شبیه­ سازی، حداکثر انرژی الکترونهای و پروتونهای وارد شده به سلول منطقی تراشه بین 30 تا 50 مگا­الکترون ولت بوده و آثار اختلالات ناشی از تابش بر مواد نیمه­هادی و همچنین برخی از اثرات مخرب تابش پرتوهای الکترون و پروتون در پنج ساختار متفاوت با بکار بردن لایه­ های آلومینیوم، سیلیکون، دی اکسید سیلیکون، بورن و اکسید بورن مورد بررسی قرار گرفته شده است. نتایج شبیه­ سازی­ها نشان می­دهد، بکار بردن لایه­ی ضخیم دی اکسید سیلیکون در چند لایه­ ی متفاوت موجب کاهش آثار ناشی از اختلال ها نسبت به سایر ساختارها خواهد شد.
 
متن کامل [PDF 3813 kb]   (38 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصي

ارسال پیام به نویسنده مسئول


کلیه حقوق این وب سایت متعلق به مجله سنجش و ایمنی پرتو می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2021 All Rights Reserved | Iranian Journal of Radiation Safety and Measurement

Designed & Developed by : Yektaweb