جلد 3، شماره 2 - ( 3-1394 )                   جلد 3 شماره 2 صفحات 33-36 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Torkiha M, Kakuee O R, fathollahi V. In depth hydrogen measurement of porous silicon by elastic recoil detection analysis. IJRSM. 2015; 3 (2) :33-36
URL: http://rsm.kashanu.ac.ir/article-1-146-fa.html
ترکیها محمد، کاکویی امیدرضا، فتح اللهی وحید. اندازه‌گیری هیدروژن در عمق نمونۀ سیلیکان متخلخل به روش آشکارسازی ذرات پس‌زده از برخورد کشسان. مجله سنجش و ايمني پرتو. 1394; 3 (2) :33-36

URL: http://rsm.kashanu.ac.ir/article-1-146-fa.html


دانشگاه کاشان
چکیده:   (6747 مشاهده)

سیلیکان متخلخل (PS) از حل الکتروشیمیایی سیلیکان در محلول HF+DMF به‌دست می‌آید. در فرایند تشکیل حفره‌ها در سیلیکان، ترکیبات هیدروژن‌دار در سطح دیواره‌های حفره‌ها ایجاد میشوند. در این تحقیق با اندازه‌گیری میزان هیدروژن در عمق نمونۀ PS، توزیع تخلخل در عمق نمونه تخمین زده شده است. با توجه با ناکارآمدی نرم‌افزارهای شبیه‌سازی متداول آنالیز با باریکۀ یونی، برنامۀ مناسبی برای شبیه‌سازی به روش مونت-کارلو نوشته شد تا نزدیک‌ترین توزیع به نتیجۀ آزمایش به‌دست آید. غلظت هیدروژن در عمق نمونۀ متناسب با میزان تخلخل در نظر گرفته شده است. نتیجۀ به‌دست‌آمده نشان می‌دهد که بیشترین تخلخل برای نمونه 90% بوده است که در عمق nm 139- 69 ایجاد شده است.

متن کامل [PDF 385 kb]   (1206 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصي

ارسال پیام به نویسنده مسئول


کلیه حقوق این وب سایت متعلق به مجله سنجش و ایمنی پرتو می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2019 All Rights Reserved | Iranian Journal of Radiation Safety and Measurement

Designed & Developed by : Yektaweb